[发明专利]半导体器件氧化物腐蚀用去离子水作为湿化代理物的方法无效
| 申请号： | 201010211708.3 | 申请日： | 2010-06-26 |
| 公开（公告）号： | CN102110590A | 公开（公告）日： | 2011-06-29 |
| 发明（设计）人： | 徐谦刚;张晓情;王林;蒲耀川;李昊;王武汉;王雪梅 | 申请（专利权）人： | 天水天光半导体有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/311 |
| 代理公司： | 甘肃省知识产权事务中心 62100 | 代理人： | 周春雷 |
| 地址： | 741000 甘*** | 国省代码： | 甘肃;62 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件氧化物腐蚀用去离子水作为湿化代理物的方法。将去离子水搅拌或振动为不稳定水环境，先将待氧化物腐蚀片放入去离子水中24～35秒，将氧化物腐蚀片提出去离子水后抖动2～5下，使氧化物腐蚀片表层附着均匀的一层去离子水后再放入氧化物腐蚀液中腐蚀，该方法采用去离子水作为湿化代理物，优选了侵润时间和腐蚀前对腐蚀片附着去离子水的德工艺要求，降低了生产成本，操作简便，进入腐蚀液后可以达到快速浸润腐蚀的效果，尤其是该浸润方法不使用化学品，可以降低生产成本，能够解决该产品在氧化物腐蚀过程中快速浸润到腐蚀液的问题，同时不影响该产品的腐蚀均匀性。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 氧化物 腐蚀 离子水 作为 代理 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件氧化物腐蚀用去离子水作为湿化代理物的方法，其特征在于该方法包括以下步骤：a)将去离子水搅拌或振动为不稳定水环境；b)在氧化物腐蚀前，先将待氧化物腐蚀片放入去离子水中24～35秒；c)将氧化物腐蚀片提出去离子水后抖动2～5下，使氧化物腐蚀片表层附着均匀的一层去离子水后再放入氧化物腐蚀液中腐蚀。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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