[发明专利]硅片去胶装置及方法有效

专利信息
申请号: 201010209822.2 申请日: 2010-06-25
公开(公告)号: CN102298276A 公开(公告)日: 2011-12-28
发明(设计)人: 王磊;景玉鹏 申请(专利权)人: 中国科学院微电子研究所
主分类号: G03F7/42 分类号: G03F7/42
代理公司: 北京市德权律师事务所 11302 代理人: 王建国
地址: 100029 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明公开了一种硅片去胶装置,包括去离子水储罐、CO2储气罐、混合罐、对混合溶液加热的热交换器及用于对硅片去胶的反应腔体;去离子水储罐与CO2储气罐的出口与混合罐一端连接,混合罐另一端通过热交换器与反应腔体入口连接。还公开了一种硅片去胶方法包括:形成液态CO2和去离子水的混合溶液;对混合溶液加热,使混合溶液中的CO2达到超临界态,使去离子水达到高温高压状态;及使用含超临界态的CO2和高温高压的去离子水的混合溶液对硅片进行去胶处理。通过本发明提供的装置及方法,可以将无机碳化厚层和底部有机光刻胶全部氧化溶解,去胶效率较高,无残留物,薄膜材料的损失最小化。
搜索关键词: 硅片 装置 方法
【主权项】:
一种硅片去胶装置,其特征在于,包括:去离子水储罐(1)、CO2储气罐(2)、用于将去离子水和CO2混合形成混合溶液的混合罐(5)、对所述混合溶液加热的热交换器(7)及用于对硅片(12)去胶的反应腔体(10);所述去离子水储罐(1)与CO2储气罐(2)的出口与所述混合罐(5)一端连接,所述混合罐(5)另一端通过所述热交换器(7)与所述反应腔体(10)入口连接。
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