[发明专利]一种原位还原金属纳米结构的直写方法无效

专利信息
申请号: 201010208610.2 申请日: 2010-06-24
公开(公告)号: CN101920338A 公开(公告)日: 2010-12-22
发明(设计)人: 段玉岗;丁玉成;刘芬芬;张小辉;卢秉恒 申请(专利权)人: 西安交通大学
主分类号: B22F9/24 分类号: B22F9/24
代理公司: 西安通大专利代理有限责任公司 61200 代理人: 汪人和
地址: 710049*** 国省代码: 陕西;61
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摘要: 发明公开了一种原位还原金属纳米结构的直写方法,其利用多数金属离子可以在热催化条件下发生还原反应的属性,提出用STM扫描探针与基材之间的电流焦耳热诱导金属离子还原反应获得金属原子并原位沉积,在基底表面直接获取纳米结构。其原理为利用STM扫描成像时,探针与样品表面之间隧道电流流经样品时在样品局部微小区域内产生电流焦耳热,从而诱导氧化态金属离子薄层在还原剂下还原反应,金属离子被还原为金属原子而原位沉积在基材表面形成金属纳米结构。该方法制造精度可达纳米级,工艺简单,探针无需预先处理或多次浸涂,可连续操作,对操作环境无特殊要求、纳米结构尺寸可调、可以制作复杂纳米结构形状,是一种基于扫描探针纳米加工的新工艺。
搜索关键词: 一种 原位 还原 金属 纳米 结构 方法
【主权项】:
一种原位还原金属纳米结构的直写方法,其特征在于:首先将含有氧化态金属离子盐和该氧化态金属离子的还原剂混合于碱性溶液中并均匀涂覆于基材表面,利用STM扫描隧道显微镜的扫描探针在基材表面进行直写扫描,使氧化态金属离子还原为金属原子并沉淀于基材表面,然后用水冲洗基材表面即可获得原位还原金属纳米结构。
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