[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201010205758.0 | 申请日： | 2010-06-17 |
| 公开（公告）号： | CN101924020A | 公开（公告）日： | 2010-12-22 |
| 发明（设计）人： | 宋健民 | 申请（专利权）人： | 宋健民 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20;H01L33/12 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;张硕 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种半导体装置及其制造方法。在一方面中，举例而言，一种制造半导体装置的方法可包括将一钻石层的一工作表面抛光成一大致平坦的表面、将一缓冲层沉积于该钻石层的该工作表面上、及将一半导体层沉积于该缓冲层上。在一特定方面中，该缓冲层的C轴定向于垂直该钻石层的该工作表面。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置的制造方法，其特征在于：将一钻石层的一工作表面抛光成一大致平坦的表面；将一缓冲层沉积于该钻石层的该工作表面上；以及将一半导体层沉积于该缓冲层上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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