[发明专利]半导体器件及其制造方法

摘要

本发明提供一种半导体器件以及制造方法。提供一种可以在POP半导体器件中增加将组合的半导体封装的自由度的技术。第一金属传导构件形成于作为较低装配衬底的第一布线衬底上，而第二金属传导构件放置于作为较高装配衬底的第二布线衬底上。通过接合第一和第二传导构件的对应部分，第一和第二布线衬底相互电耦合。电耦合到第二传导构件并且将具有安装于其上的较高半导体构件32的电极焊盘形成于第二布线衬底的主表面侧上，并且电极焊盘也放置于与较低半导体芯片平面地交叠的位置。

主权项

一种制造半导体器件的方法，包括以下步骤：(a)提供第一衬底，所述第一衬底具有第一主表面、形成于所述第一主表面上的第一电极焊盘、比所述第一电极焊盘更接近所述第一主表面的外围放置的第二电极焊盘、形成于所述第二电极焊盘上的第一传导构件、形成于所述第一传导构件的表面上的传导膜、与所述第一主表面相对的第一背表面和形成于所述第一背表面上的第三电极焊盘；(b)在所述第一衬底的所述第一主表面上安装半导体芯片，所述半导体芯片具有前表面、形成于所述前表面上的键合焊盘和与所述前表面相对的背表面；(c)经由第二传导构件对所述半导体芯片的所述键合焊盘和所述第一衬底的所述第一电极焊盘进行电耦合；(d)在所述第一衬底上设置第二衬底，所述第二衬底具有第二主表面、形成于所述第二主表面上的第四电极焊盘、与所述第二主表面相对的第二背表面、形成于所述第二背表面上的第五电极焊盘和形成于所述第五电极焊盘上的第三传导构件，从而所述第二衬底的所述第二背表面面向所述第一衬底的所述第一主表面；(e)在所述步骤(d)之后经由所述传导膜将所述第三传导构件电耦合到所述第一传导构件；(f)在所述步骤(e)之后在所述第一衬底与所述第二衬底之间提供树脂以密封所述半导体芯片以及所述第一传导构件与所述第三传导构件的接头；并且(g)在所述步骤(f)之后在所述第一衬底的所述第三电极焊盘形成外部端子。