[发明专利]半导体装置及其制造方法

摘要

在有源矩阵型显示装置中，构成电路的薄膜晶体管的电特性较为重要，该电特性会左右显示装置的性能。因此本发明提供一种反交错型的薄膜晶体管使用彻底去除氢的氧化物半导体膜以减少电特性的不均匀性的半导体装置及其制造方法。为此，通过溅射法不接触大气地连续形成栅极绝缘膜、氧化物半导体层、和沟道保护膜这三层。此外，在包含流量比为50％以上且100％以下的氧的气氛中进行氧化物半导体层的膜。此外，氧化物半导体层的沟道形成区的上及下的层为硅含量为3原子％以上且30原子％以下的氧氮化硅膜。

主权项

一种半导体装置，包括：衬底上的栅电极；所述栅电极上的氮化硅膜；所述氮化硅膜上的第一绝缘膜，所述第一绝缘膜使用第一氧化硅膜形成；所述第一绝缘膜上的与所述第一绝缘膜接触的氧化物半导体层；所述氧化物半导体层上的与所述氧化物半导体层接触的第二绝缘膜，所述第二绝缘膜使用第二氧化硅膜形成；在所述第二绝缘膜上的源电极和漏电极；以及所述源电极、所述漏电极和所述第二绝缘膜上的与所述源电极、所述漏电极和所述第二绝缘膜接触的第三绝缘膜，所述第三绝缘膜使用第三氧化硅膜形成，其中，所述源电极和所述漏电极各自通过所述第二绝缘膜中的与所述栅电极重叠的开口电连接到所述氧化物半导体层，其中，所述氧化物半导体层的沟道形成区夹在所述第一绝缘膜和所述第二绝缘膜之间并且与所述第一绝缘膜和所述第二绝缘膜中的每一个接触，并且其中，所述第一绝缘膜和所述第二绝缘膜中的至少一个包括含氮浓度大于或等于3原子百分比且小于或等于30原子百分比的氧氮化硅膜。