[发明专利]发光装置无效
| 申请号： | 201010198537.5 | 申请日： | 2006-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN101872758A | 公开（公告）日： | 2010-10-27 |
| 发明（设计）人： | 冈朵拉·罗夫;瓦特·涂斯;李贞勋 | 申请（专利权）人： | 首尔半导体株式会社 |
| 主分类号： | H01L25/065 | 分类号： | H01L25/065;H01L33/50;H01L27/15;C09K11/59;C09K11/66 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 韩明星;薛义丹 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明涉及一种发光装置，该发光装置包括：至少一个发光二极管，发射处于预定波长区的光；铜-碱土金属类无机混晶，由稀土激活，铜-碱土金属类无机混晶包括铜-碱土硅酸盐磷光体，铜-碱土硅酸盐磷光体设置在发光二极管周围，吸收从发光二极管发射的光的一部分，且发射波长与所吸收的光的波长不同的光。 | ||
| 搜索关键词： | 发光 装置 | ||
【主权项】：
一种发光装置，包括：至少一个发光二极管，能够产生处于预定波长区的光，发光二极管具有多个发光单元和整流桥，所述多个发光单元和整流桥在单个基底上，每个发光单元包括P型半导体层和N型半导体层；磷光体，包括化合物，所述化合物包含铜和作为主晶格成分的碱土金属，所述化合物被活化剂离子激活，所述磷光体位于发光二极管周围，以吸收从发光二极管发射的光的一部分，并发射波长与所吸收的光的波长不同的光。
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