[发明专利]半导体装置以及半导体装置的制造方法有效
| 申请号： | 201010194245.4 | 申请日： | 2010-05-27 |
| 公开（公告）号： | CN101901768A | 公开（公告）日： | 2010-12-01 |
| 发明（设计）人： | 佐佐木俊成;大原宏树;坂田淳一郎 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L21/34 | 分类号： | H01L21/34;H01L21/477;H01L21/473;H01L29/786;H01L27/02 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 申发振 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明的目的之一在于提供包括具有稳定的电特性的薄膜晶体管的高可靠性的半导体装置。另外，本发明的目的之一还在于以低成本高效地提供高可靠性的半导体装置。一种包括作为沟道形成区使用氧化物半导体层的薄膜晶体管的半导体装置的制造方法，其中在氮气氛下加热氧化物半导体层来将其低电阻化，以形成低电阻氧化物半导体层。另外，将在低电阻氧化物半导体层中的重叠于栅电极层的区域选择性地高电阻化来形成高电阻氧化物半导体区域。通过溅射法接触于该氧化物半导体层地形成氧化硅，以进行氧化物半导体层的高电阻化。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 以及 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置的制造方法，包括：在具有绝缘表面的衬底上形成栅电极层；在所述栅电极层上形成栅极绝缘层；在所述栅极绝缘层上形成氧化物半导体层；在氮气氛下加热所述氧化物半导体层；在所述加热步骤之后在所述氧化物半导体层上形成源电极层及漏电极层；以及通过溅射法在所述栅极绝缘层、所述氧化物半导体层、所述源电极层以及所述漏电极层上形成氧化硅膜，以使所述氧化硅膜接触于所述氧化物半导体层的一部分。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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