[发明专利]非易失性存储装置有效

专利信息
申请号: 201010194145.1 申请日: 2010-05-28
公开(公告)号: CN102263122A 公开(公告)日: 2011-11-30
发明(设计)人: 陈逸舟;简维志;李峰旻 申请(专利权)人: 旺宏电子股份有限公司
主分类号: H01L27/24 分类号: H01L27/24;H01L27/22;H01L27/115;G11C11/40
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 周国城
地址: 中国台湾新竹*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 一种存储装置,其包括一存储单元阵列,每一存储单元能够储存多位数据。每一存储单元包含可编程晶体管,其与电阻值切换装置串联。晶体管的阈值电压可在与各存储状态相关联的多个不同阈值电压之间切换。电阻值切换装置可在多个与各存储状态相关联的不同电阻值之间切换。
搜索关键词: 非易失性 存储 装置
【主权项】:
一种存储装置,包括一存储单元阵列,其中至少一存储单元包括:晶体管,其具有第一端、第二端和栅极端,所述晶体管的阈值电压在与各存储状态相关联的多个不同阈值电压之间切换;以及电阻值切换装置,其与所述晶体管的所述第一端和所述第二端中的一端串联,所述电阻值切换装置在与各存储状态相关联的多个不同电阻值之间切换。
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