[发明专利]非易失性存储装置有效
| 申请号: | 201010194145.1 | 申请日: | 2010-05-28 |
| 公开(公告)号: | CN102263122A | 公开(公告)日: | 2011-11-30 |
| 发明(设计)人: | 陈逸舟;简维志;李峰旻 | 申请(专利权)人: | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/24 | 分类号: | H01L27/24;H01L27/22;H01L27/115;G11C11/40 |
| 代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 周国城 |
| 地址: | 中国台湾新竹*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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| 摘要: | 一种存储装置,其包括一存储单元阵列,每一存储单元能够储存多位数据。每一存储单元包含可编程晶体管,其与电阻值切换装置串联。晶体管的阈值电压可在与各存储状态相关联的多个不同阈值电压之间切换。电阻值切换装置可在多个与各存储状态相关联的不同电阻值之间切换。 | ||
| 搜索关键词: | 非易失性 存储 装置 | ||
【主权项】:
一种存储装置,包括一存储单元阵列,其中至少一存储单元包括:晶体管,其具有第一端、第二端和栅极端,所述晶体管的阈值电压在与各存储状态相关联的多个不同阈值电压之间切换;以及电阻值切换装置,其与所述晶体管的所述第一端和所述第二端中的一端串联,所述电阻值切换装置在与各存储状态相关联的多个不同电阻值之间切换。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





