[发明专利]一种pnp-沟槽复合隔离RC-GCT器件及制备方法有效
| 申请号： | 201010191042.X | 申请日： | 2010-06-03 |
| 公开（公告）号： | CN101853878A | 公开（公告）日： | 2010-10-06 |
| 发明（设计）人： | 王彩琳 | 申请（专利权）人： | 西安理工大学 |
| 主分类号： | H01L29/744 | 分类号： | H01L29/744;H01L29/08;H01L21/332 |
| 代理公司： | 西安弘理专利事务所 61214 | 代理人： | 罗笛 |
| 地址： | 710048*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种pnp-沟槽复合隔离RC-GCT器件，整个器件分为A-GCT和PIN二极管两部分，A-GCT部分结构是，n-区向上依次设置有波状p基区和p+基区，该p+基区中间段上表面，与波状p基区的波峰对应位置设置有n+阴极区，该n+阴极区上表面是阴极铝电极，该n+阴极区两侧的p+基区上表面各设置有门极铝电极，n-区向下设置有n缓冲层及p+透明阳极区；PIN二极管部分结构是，n-区向上依次设置有p基区和p+基区，p+基区上表面设置有阴极铝电极；n-区向下设置有n缓冲层，n缓冲层的下方并排设置有PIN二极管n+阴极区Ⅰ、p+短路区和PIN二极管n+阴极区Ⅱ。本发明还公开了上述pnp-沟槽复合隔离RC-GCT器件的制备方法，可有效改善PIN二极管的反向恢复特性，从而省去了对其少子寿命的控制。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 pnp 沟槽 复合 隔离 rc gct 器件 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种pnp-沟槽复合隔离RC-GCT器件，其特征在于：整个器件以n-区为衬底，以器件上方隔离沟槽的中心线为轴、器件下方p+透明阳极区和n+阴极区Ⅰ边界为轴纵向将器件区分为A-GCT部分和PIN二极管部分，所述A-GCT部分的结构是，n-区向上依次设置有波状p基区和p+基区；该p+基区中间段上表面，与波状p基区的波峰对应位置设置有A-GCT的n+阴极区，该n+阴极区上表面是阴极铝电极K；该n+阴极区两侧的p+基区上表面各设置有门极铝电极G；n-区向下设置有n缓冲层，n缓冲层的下方为A-GCT部分的p+透明阳极区；所述的PIN二极管部分结构是，n-区向上依次设置有p基区和p+基区，p+基区上表面设置有阴极铝电极K；n-区向下设置有n缓冲层，n缓冲层的下方并排设置有PIN二极管n+阴极区Ⅰ、p+短路区和PIN二极管n+阴极区Ⅱ，PIN二极管n+阴极区Ⅰ和PIN二极管n+阴极区Ⅱ的厚度大于中间的p+短路区，PIN二极管n+阴极区Ⅰ与A-GCT的p+透明阳极区邻接，PIN二极管n+阴极区Ⅰ、p+短路区和PIN二极管n+阴极区Ⅱ的下方均与A-GCT部分的p+透明阳极区的下方设置有共同的阳极铝电极A；所述隔离沟槽伸入p基区，与p基区的一个波峰相接。
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