[发明专利]用于受限区域平坦化的设备和方法

摘要

提供用于执行半导体晶片的受限区域平坦化的临近头和相关使用方法。该临近头包括限定为保持电解液的室。阴极设置在该室内并暴露于该电解液。阳离子交换隔膜设在该室的下部开口上，从而该阳离子交换隔膜的顶部表面直接暴露于保持在该室内的电解液。该临近头还包括流体供应通道，限定为驱除流体到邻近该阳离子交换隔膜下部表面的位置。另外，真空通道限定为在邻近该阳离子交换隔膜下部表面的位置提供吸力，从而使从该流体供应通道驱除的流体在该阳离子交换隔膜的下部表面上流动。

主权项

一种半导体晶片的受限区域平坦化的方法，包括：将临近头设在半导体晶片顶部表面上方并且邻近该表面，从而该临近头的阳离子交换隔膜面对该半导体晶片的顶部表面；将电解液设在该阳离子交换隔膜的顶部表面和阴极之间；在该阳离子交换隔膜底部表面和该半导体晶片的顶部表面之间流动去离子水；和将偏置电压施加在该半导体晶片的顶部表面和该阴极之间，从而从该半导体晶片的顶部表面释放的阳离子受到影响而穿过该去离子水、该阳离子交换隔膜和该电解液到达该阴极。