[发明专利]低成本薄膜太阳能电池芯片工艺方法有效
| 申请号： | 201010188802.1 | 申请日： | 2010-05-25 |
| 公开（公告）号： | CN102263155A | 公开（公告）日： | 2011-11-30 |
| 发明（设计）人： | 张一熙 | 申请（专利权）人： | 亚洲太阳科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 任默闻 |
| 地址： | 中国香*** | 国省代码： | 中国香港;81 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种低成本薄膜太阳能电池芯片工艺方法，在薄膜太阳能电池芯片(cell)工艺步骤中，删减了利用清洗机台清洗玻璃基板的步骤，只有基本三道激光切割与沉积p-i-n主动层及背部电极，可因此减少工艺设备成本与整体工艺时间。本发明复提供一种低成本薄膜太阳能电池芯片工艺方法，一样在不需清洗机台的前提下，利用原本用来沉积p-i-n主动层的离子增长型化学气相沉积(PECVD)设备，以等离子体蚀刻的方式清洗玻璃基板，同样可达到降低成本的功效。 | ||
| 搜索关键词： | 低成本 薄膜 太阳能电池 芯片 工艺 方法 | ||
【主权项】：
一种低成本薄膜太阳能电池芯片工艺方法，其特征在于，所述的方法包含以下步骤：(1)将已沉积透明导电薄膜的玻璃基板进行第一道激光切割以定义电极图案；接着(2)在玻璃基板上沉积一层p‑i‑n类型排列的主动层；接着(3)将已沉积p‑i‑n主动层的玻璃基板进行第二道激光切割以定义主动层图案；接着(4)在玻璃基板上形成以铝/银材质为主的背部电极；接着(5)将已沉积背部电极的玻璃基板进行第三道激光切割以定义所述的背部电极图案；其中，所述的低成本薄膜太阳能电池芯片工艺方法中并不包含清洗玻璃基板的步骤。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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