[发明专利]改善芯片栅极侧墙生长的负载效应的方法有效
| 申请号： | 201010186553.2 | 申请日： | 2010-05-27 |
| 公开（公告）号： | CN102263018A | 公开（公告）日： | 2011-11-30 |
| 发明（设计）人： | 陈福成 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种改善芯片栅极侧墙生长的负载效应的方法包括步骤：设计一组填充图形；在所述芯片的栅层生长之后，在所述栅层上的需要调节图形密度和后续栅极侧墙生长的负载效应的区域上，在所述一组填充图形中选择一个所述填充图形来进行栅布局，从而使所述芯片的图形密度达到目标图形密度和所述芯片的栅极侧墙生长的负载效应达到目标负载效应。本发明能优化芯片内化学机械研磨的均一性和刻蚀的宏负载，同时能改善在栅极侧墙薄膜生长时形成的各栅极局部表面积负载不平衡的情况。 | ||
| 搜索关键词： | 改善 芯片 栅极 生长 负载 效应 方法 | ||
【主权项】：
一种改善芯片栅极侧墙生长的负载效应的方法，其特征在于，包括步骤：步骤一、设计一组填充图形；步骤二、在所述芯片的栅层生长之后，在所述栅层上的需要调节图形密度和后续栅极侧墙生长的负载效应的区域上，在所述一组填充图形中选择一个所述填充图形来进行栅布局，从而使所述芯片的图形密度达到目标图形密度和所述芯片的栅极侧墙生长的负载效应达到目标负载效应。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
