[发明专利]基于FTIR光谱监测的等离子体刻蚀机内部状态维护方法有效
申请号: | 201010186282.0 | 申请日: | 2010-05-28 |
公开(公告)号: | CN101958232A | 公开(公告)日: | 2011-01-26 |
发明(设计)人: | 王巍;李博;罗元;李垒;徐华;贾培发 | 申请(专利权)人: | 重庆邮电大学 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00;H01L21/66 |
代理公司: | 北京同恒源知识产权代理有限公司 11275 | 代理人: | 赵荣之 |
地址: | 400065 *** | 国省代码: | 重庆;85 |
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摘要: | 本发明提出了一种基于FTIR光谱监测的等离子体刻蚀机内部状态维护方法,在等离子体刻蚀机的反应腔室外壁开一个窗口,安装内反射晶体,在窗口的一端安装ATR-FTIR光谱探针,另一端安装红外探测器,使傅里叶变换红外光谱探针发射的光线在内反射晶体内多次反射后,从内反射晶体另一端射出,聚焦到红外探测器,所述碲镉汞探测器与图谱处理系统连接;定期或实时取得等离子体刻蚀机反应腔室内壁的傅里叶变换红外光谱图谱,用于测量所附着的聚合物的组分,通过与标准傅里叶变换红外光谱图谱进行比较,确定是否需要对反应腔室进行清洗,如是,则对等离子体刻蚀机反应腔室进行清洗。 | ||
搜索关键词: | 基于 ftir 光谱 监测 等离子体 刻蚀 内部 状态 维护 方法 | ||
【主权项】:
基于FTIR光谱监测的等离子体刻蚀机内部状态维护方法,其特征在于:包括如下步骤:1)安装傅里叶变换红外光谱探针系统:在等离子体刻蚀机的反应腔室外壁开一个窗口,窗口材料采用透明的内反射晶体,在窗口的一端安装衰减全反射傅里叶变换红外光谱探针,另一端安装红外探测器,使傅里叶变换红外光谱探针发射的光线在内反射晶体内多次反射后,从内反射晶体另一端射出,聚焦到碲镉汞探测器,所述碲镉汞探测器与图谱处理系统连接;2)利用傅里叶变换红外光谱探针系统对处于最佳工作状态的等离子体刻蚀机的反应腔室内壁的薄膜组分进行测量,获得标准的傅里叶变换红外光谱图谱;3)利用傅里叶变换红外光谱探针系统对等离子体刻蚀机的反应腔室内壁的薄膜组分进行测量,得到相应的傅里叶变换红外光谱图谱,通过与标准傅里叶变换红外光谱图谱进行比较,确定是否需要对反应腔室进行清洗,以及所附着的聚合物的组分,如是,则执行步骤4);4)对等离子体刻蚀机反应腔室进行清洗;5)当等离子体刻蚀机经过清洗后,再执行步骤3)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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