[发明专利]一种半导体结型二极管器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201010183446.4 | 申请日： | 2010-05-19 |
| 公开（公告）号： | CN102254818A | 公开（公告）日： | 2011-11-23 |
| 发明（设计）人： | 梁擎擎;钟汇才;朱慧珑 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/329 | 分类号： | H01L21/329;H01L21/28;H01L29/861;H01L29/417 |
| 代理公司： | 北京市立方律师事务所 11330 | 代理人： | 马佑平 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种半导体结型二极管器件结构及其制造方法，所述二极管器件结构的栅极直接形成于衬底上，在半导体衬底内形成PN结，并在栅极上形成第一接触，在栅极两侧的掺杂区上形成第二接触，所述第一和第二接触充当二极管器件的两极，这种结构的二极管器件所用的面积小，而且其形成工艺可以集成于MOSFET器件的后栅集成工艺中，不需要额外的掩膜和费用，具有很高的集成度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 二极管 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体结型二极管器件结构的形成方法，所述方法包括：A、提供半导体衬底；B、在所述半导体衬底内形成具有第一类型掺杂的第一掺杂区；C、直接覆盖所述第一掺杂区所在的衬底以形成栅极，并在所述半导体衬底内形成PN结；D、在所述栅极上形成第一接触，以及在所述栅极两侧的半导体衬底上形成第二接触，所述第一和第二接触分别定义为二极管器件的两极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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