[发明专利]一种显现碲锌镉红外衬底缺陷的等离子体刻蚀方法有效
申请号: | 201010182276.8 | 申请日: | 2010-05-21 |
公开(公告)号: | CN101872803A | 公开(公告)日: | 2010-10-27 |
发明(设计)人: | 叶振华;尹文婷;王建新;方维政;杨建荣;陈昱;林春;胡晓宁;丁瑞军;何力 | 申请(专利权)人: | 中国科学院上海技术物理研究所 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
代理公司: | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人: | 郭英 |
地址: | 20008*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明公开了一种显现碲锌镉红外衬底缺陷的等离子体刻蚀方法,它涉及光电探测器材料检测技术。本发明采用高密度、低能量的诱导耦合等离子体(ICP)增强反应离子刻蚀(RIE)的方法,来显现红外CZT衬底缺陷的技术方案,巧妙地运用了ICP增强RIE刻蚀速率的精确可控性,以及在红外CZT衬底正常区域和缺陷区域的不一致性,有效解决了常规缺陷显现方法存在去除衬底速率不可控、缺陷轮廓菱角模糊的问题。本发明方法具有工艺简单、稳定性好以及显现清晰的特点。 | ||
搜索关键词: | 一种 显现 碲锌镉 红外 衬底 缺陷 等离子体 刻蚀 方法 | ||
【主权项】:
一种显现碲锌镉红外衬底缺陷的等离子体刻蚀方法,其特征在于包括以下步骤:A.样品清洗:将CZT衬底刻蚀样品(4)分别置于65℃的三氯乙烯、丙酮和酒精三种有机溶剂中清洗;B.使用真空油脂将CZT衬底刻蚀样品(4)粘贴在刻蚀样品台上,而后进行腔体的抽真空,直至真空度达到设定值3×10-5Torr;C.CZT衬底刻蚀样品(4)的ICP增强RIE的工艺气体选用CH4、N2和Ar,配比为1-3∶3-8∶15-30,并使其中的N2、Ar从上进气线圈(8)进入腔体(5),而CH4从下进气线圈(7)进入腔体(5);D.等离子体刻蚀功率为300-800W,控制等离子体刻蚀能量的RF功率为5-30W,腔体压力为3-8×10-3Torr,样品台温度为10-30℃。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
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