[发明专利]一种显现碲锌镉红外衬底缺陷的等离子体刻蚀方法有效

专利信息
申请号: 201010182276.8 申请日: 2010-05-21
公开(公告)号: CN101872803A 公开(公告)日: 2010-10-27
发明(设计)人: 叶振华;尹文婷;王建新;方维政;杨建荣;陈昱;林春;胡晓宁;丁瑞军;何力 申请(专利权)人: 中国科学院上海技术物理研究所
主分类号: H01L31/18 分类号: H01L31/18
代理公司: 上海新天专利代理有限公司 31213 代理人: 郭英
地址: 20008*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明公开了一种显现碲锌镉红外衬底缺陷的等离子体刻蚀方法,它涉及光电探测器材料检测技术。本发明采用高密度、低能量的诱导耦合等离子体(ICP)增强反应离子刻蚀(RIE)的方法,来显现红外CZT衬底缺陷的技术方案,巧妙地运用了ICP增强RIE刻蚀速率的精确可控性,以及在红外CZT衬底正常区域和缺陷区域的不一致性,有效解决了常规缺陷显现方法存在去除衬底速率不可控、缺陷轮廓菱角模糊的问题。本发明方法具有工艺简单、稳定性好以及显现清晰的特点。
搜索关键词: 一种 显现 碲锌镉 红外 衬底 缺陷 等离子体 刻蚀 方法
【主权项】:
一种显现碲锌镉红外衬底缺陷的等离子体刻蚀方法,其特征在于包括以下步骤:A.样品清洗:将CZT衬底刻蚀样品(4)分别置于65℃的三氯乙烯、丙酮和酒精三种有机溶剂中清洗;B.使用真空油脂将CZT衬底刻蚀样品(4)粘贴在刻蚀样品台上,而后进行腔体的抽真空,直至真空度达到设定值3×10-5Torr;C.CZT衬底刻蚀样品(4)的ICP增强RIE的工艺气体选用CH4、N2和Ar,配比为1-3∶3-8∶15-30,并使其中的N2、Ar从上进气线圈(8)进入腔体(5),而CH4从下进气线圈(7)进入腔体(5);D.等离子体刻蚀功率为300-800W,控制等离子体刻蚀能量的RF功率为5-30W,腔体压力为3-8×10-3Torr,样品台温度为10-30℃。
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