[发明专利]一种制备β-氮化硅晶须的方法无效
| 申请号： | 201010181986.9 | 申请日： | 2010-05-19 |
| 公开（公告）号： | CN102251284A | 公开（公告）日： | 2011-11-23 |
| 发明（设计）人： | 杨金龙;蔡锴;李合欣;席小庆;黄勇 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | C30B29/62 | 分类号： | C30B29/62;C30B1/10 |
| 代理公司： | 北京申翔知识产权代理有限公司 11214 | 代理人： | 周春发 |
| 地址： | 100084 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明一种制备β-氮化硅晶须的方法，是利用孔壁为支撑，利用孔洞为晶须提供生长空间的原理，制备出由大量“鸟巢”状微结构组成的多孔陶瓷块体，“鸟巢”由大量相互间结合较弱的β-氮化硅晶须搭建而成，研磨即可得β-氮化硅晶须。该制备出由大量“鸟巢”状微结构组成的多孔陶瓷块体的方法是利用胶态发泡法。本发明可以得到一种操作简单、纯度高、产量高、环境友好且无人体健康危害的氮化硅晶须制备方法-胶态发泡法。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制备 氮化 硅晶须 方法 | ||
【主权项】：
一种制备β 氮化硅晶须的方法，其特征在于，利用孔壁为支撑，利用孔洞为晶须提供生长空间的原理，制备出由大量“鸟巢”状微结构组成的多孔陶瓷块体，“鸟巢”由大量相互间结合较弱的β 氮化硅晶须搭建而成，研磨即可得β 氮化硅晶须。
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