[发明专利]一种有机场效应晶体管及其制备方法

摘要

本发明公开了一种有机场效应晶体管及其制备方法，属于有机电子学领域。所述晶体管包括绝缘衬底以及在绝缘衬底上的源电极、介质层、栅电极、有机半导体层和漏电极，源电极位于绝缘衬底上，并与绝缘衬底接触；有机半导体层位于晶体管中央，上端与漏电极接触，下端与源电极接触；栅电极为两个长条形的栅电极，分别位于有机半导体层的两侧；介质层为槽型，将长条形的栅电极包裹在其槽内，介质层将栅电极和有机半导体层、源电极、漏电极隔离开。本发明采用低温工艺，把沟道由传统的平面型改进为垂直型，通过控制有机半导体层的薄膜厚度控制晶体管的沟道长度，大幅度地降低制备短沟道有机晶体管的难度，从而减少了制备的成本。

主权项

一种有机场效应晶体管，包括绝缘衬底以及在所述绝缘衬底上的源电极、介质层、栅电极、有机半导体层和漏电极，其特征在于：所述源电极位于所述绝缘衬底上，并与所述绝缘衬底接触；所述有机半导体层位于所述晶体管中央，所述有机半导体层上端与所述漏电极接触，下端与所述源电极接触；所述栅电极为两个长条形的栅电极，分别位于所述有机半导体层的两侧；所述介质层为槽型，对称分布在所述有机半导体层的两侧，将所述长条形的栅电极包裹在其槽内，所述介质层将所述栅电极和所述有机半导体层、源电极、漏电极隔离开。