[发明专利]具有表面双层粗化的四元系垂直发光二极管及其制备方法无效
| 申请号： | 201010181217.9 | 申请日： | 2010-05-14 |
| 公开（公告）号： | CN101859855A | 公开（公告）日： | 2010-10-13 |
| 发明（设计）人： | 林潇雄;蔡家豪;林素慧;尹灵峰;林科闯 | 申请（专利权）人： | 厦门市三安光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/20 | 分类号： | H01L33/20;H01L33/22 |
| 代理公司： | 厦门原创专利事务所 35101 | 代理人： | 徐东峰 |
| 地址： | 361009 福建省厦*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明公开的一种具有表面双层粗化的四元系垂直发光二极管及其制备方法，在衬底形成一布拉格反射层，在布拉格反射层上形成第一型磊晶层，在第一型磊晶层上形成发光层，在发光层上形成第二型磊晶层，具有小圆洞或者网状结构的第一GaP窗口层形成于第二型磊晶层上，具有小圆洞或者网状结构的第二GaP窗口层形成于第一GaP窗口层上；第一电极形成于第二GaP窗口层顶面，第二电极形成于衬底底面；本发明在完成常规工艺后，采用在第一GaP窗口层与第二GaP窗口层间形成相互交错的小圆洞或者网状结构，改变从发光层发出的光线到达发光二极管芯片表面时的光路，使更多的光线从内部射出，使本发明的出光率比现有的二极管出光率提高20％。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 表面 双层 四元系 垂直 发光二极管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
具有表面双层粗化的四元系垂直发光二极管，在衬底形成一布拉格反射层，在布拉格反射层上形成第一型磊晶层，在第一型磊晶层上形成发光层，在发光层上形成第二型磊晶层，具有小圆洞或者网状结构的第一GaP窗口层形成于第二型磊晶层上，具有小圆洞或者网状结构的第二GaP窗口层形成于第一GaP窗口层上；第一电极形成于第二GaP窗口层顶面，第二电极形成于衬底底面。
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