[发明专利]使用被接合的金属平面的3维集成结构和方法有效
| 申请号： | 201010179977.6 | 申请日： | 2010-05-10 |
| 公开（公告）号： | CN101887887A | 公开（公告）日： | 2010-11-17 |
| 发明（设计）人： | 马克塔·G·法鲁克;萨布拉马尼安·S·伊耶 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L25/065 | 分类号： | H01L25/065;H01L21/50;H01L23/485;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 邱军 |
| 地址： | 美国纽*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种制造3D集成电路的方法和3D集成电路结构。存在接合至第二半导体结构的第一半导体结构。各半导体结构包括半导体晶片、所述半导体晶片上的前段(FEOL)布线、所述FEOL布线上的后段(BEOL)布线、所述BEOL布线上的绝缘体层和所述绝缘体层上的金属层。所述第一半导体结构与所述第二半导体结构对齐，使得各所述半导体结构的金属层相互面对。各所述半导体结构的金属层通过金属对金属键相互接触并且接合，其中接合的金属层形成电隔离层。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 接合 金属 平面 集成 结构 方法 | ||
【主权项】：
一种制造3维集成电路的方法，包括的步骤是：获得第一半导体结构，所述第一半导体结构包括第一半导体晶片、第一半导体晶片上的前段布线，前段布线上的后段布线，后段布线上的绝缘体层和绝缘体层上的金属层；获得第二半导体结构，所述第二半导体结构包括第二半导体晶片、第二半导体晶片上的前段布线，前段布线上的后段布线，后段布线上的绝缘体层和绝缘体层上的金属层；对齐第一半导体结构和第二半导体结构，使得第一和第二半导体结构的金属层相互面对；并且相互接触并且接合第一和第二半导体结构的金属层，其中接合的金属层形成电隔离层。
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