[发明专利]一种具有厚绝缘底部的沟槽及其半导体器件的制造方法有效
| 申请号： | 201010179208.6 | 申请日： | 2010-05-21 |
| 公开（公告）号： | CN101834142A | 公开（公告）日： | 2010-09-15 |
| 发明（设计）人： | 梁安杰;张崇兴;苏冠创 | 申请（专利权）人： | 香港商莫斯飞特半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78;H01L29/423 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人： | 楼高潮 |
| 地址： | 中国香港沙田科学园一期*** | 国省代码： | 中国香港;81 |
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| 摘要： | 一种具有厚绝缘底部的沟槽及其半导体器件的制造方法，该方法包括：利用沟槽掩模对衬底上的外延层进行侵蚀而形成多个栅极沟槽，并在沟槽侧壁和上沿沉积氮化物后，在沟槽底部生成第三氧化层；去除氮化物，在沟槽中沉积多晶硅，并生成第四氧化层，完成沟槽的制造；然后分别利用基区掩模和源区掩模形成基区和源区，利用接触孔掩模形成接触沟槽和沟槽插塞，以及利用金属掩模进行金属侵蚀，形成金属垫层和连线完成器件的制造。本发明的制造方法，由于保证了侧壁栅极氧化层的一致性使得制造的器件阈值电压等电参数具有一致性，而且，器件的制造方法简单、容易，容易实现。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 绝缘 底部 沟槽 及其 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种具有厚绝缘底部的沟槽的制造方法，该方法包括以下步骤：1)利用沟槽掩模对衬底上的外延层进行侵蚀而形成多个栅极沟槽，并在沟槽侧壁和上沿沉积氮化物；2)在沟槽底部生成第三氧化层，并去除氮化物；3)在沟槽中沉积多晶硅，并生成第四氧化层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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