[发明专利]一种铁氧体材料及其制作的叠层片式电子元件有效
申请号: | 201010177376.1 | 申请日: | 2010-05-18 |
公开(公告)号: | CN101834047A | 公开(公告)日: | 2010-09-15 |
发明(设计)人: | 戴春雷;张杨;郭海 | 申请(专利权)人: | 深圳顺络电子股份有限公司 |
主分类号: | H01F1/36 | 分类号: | H01F1/36;H01F41/02;C04B35/26;C04B35/64 |
代理公司: | 深圳市中知专利商标代理有限公司 44101 | 代理人: | 张皋翔 |
地址: | 518110 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明公开了一种铁氧体材料,其成分及其mol百分比包括如下:Fe2O3:42.5~49.1mol%:ZnO:11.5~32.0mol%:CuO:10.6~13.9mol%;Bi2O3:0.3~1.3mol%;Sb2O3:0.3~1.1mol%;余量为NiO。本发明还公开了一种叠层片式电子元件,包括线圈导体和磁性本体,磁性本体由上述铁氧体材料的烧结体制作。本发明的铁氧体材料能将铁氧体烧结温度降低到900℃以下,能在较宽的烧结温度范围内与银电极共烧结成晶粒细小且均匀的烧结体,制作的叠层片式电感器或叠层片式磁珠具有高频下Q值高、耐电流冲击能力和耐温度冲击能力强的优点。 | ||
搜索关键词: | 一种 铁氧体 材料 及其 制作 叠层片式 电子元件 | ||
【主权项】:
一种铁氧体材料,其特征在于:所述成分及其mol百分比包括如下:Fe2O3:42.5~49.1mol%;ZnO:11.5~32.0mol%;CuO:10.6~13.9mol%;Bi2O3:0.3~1.3mol%;Sb2O3:0.3~1.1mol%;余量为NiO。
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