[发明专利]去除光掩模光刻胶的方法有效
| 申请号： | 201010176627.4 | 申请日： | 2010-05-19 |
| 公开（公告）号： | CN102253608A | 公开（公告）日： | 2011-11-23 |
| 发明（设计）人： | 金海涛;徐飞;吉保国;王夏 | 申请（专利权）人： | 常州瑞择微电子科技有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/32 | 分类号： | G03F7/32;G03F7/30 |
| 代理公司： | 常州佰业腾飞专利代理事务所(普通合伙) 32231 | 代理人： | 金辉 |
| 地址： | 213022 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种去除光掩模光刻胶的方法，包括：将光掩模基片放在工艺腔内；用光刻胶去除液喷淋到光掩模基片上；将光掩模基片旋转；所述光刻胶去除液为臭氧溶于去离子水而得的臭氧去离子水；使前述的臭氧去离子水雾化并由一个喷嘴喷淋到光掩模基片上，将光刻胶分解为二氧化碳和水，从而脱离光掩模表面。本发明提供了一种安全的去除光掩模光刻胶的方法，该方法能解决困扰国际半导体行业的雾状缺陷问题，同时可以大幅度减少光掩模半导体生产工艺中硫酸和过氧化氢的排放，达到节能减排和环保的成效。 | ||
| 搜索关键词： | 去除 光掩模 光刻 方法 | ||
【主权项】：
一种去除光掩模光刻胶的方法，包括：将光掩模基片放在工艺腔内；用光刻胶去除液喷淋到光掩模基片上；其特征在于：将光掩模基片旋转；所述光刻胶去除液为臭氧溶于去离子水而得的臭氧去离子水；使前述的臭氧去离子水雾化并由一个喷嘴喷淋到光掩模基片上，将光刻胶分解为二氧化碳和水，从而脱离光掩模表面。
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