[发明专利]半导体层积结构体的制造方法有效
| 申请号： | 201010175605.6 | 申请日： | 2010-05-05 |
| 公开（公告）号： | CN101901752A | 公开（公告）日： | 2010-12-01 |
| 发明（设计）人： | 佐藤纯一 | 申请（专利权）人： | 夏普株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20;H01L21/314 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 葛青 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种半导体层积结构体的制造方法。首先，(a)在室温下，在基板(2)的背面上使热膨胀率比基板(2)低的第一膜(3)成膜。其次，(b)在加热至高温后，(c)在基板(2)的表面(2a)上使热膨胀率比基板(2)高的缓冲层(4)以及第二膜(5)成膜。之后，(d)当半导体层积结构体(1)的温度降低至室温，半导体层积结构体(1)成为基板(2)以及所有膜(3、4、5)都几乎不翘曲的平坦状态。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 层积 结构 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体层积结构体的制造方法，其特征在于，包括如下工序：在基板的第一面上使热膨胀率比所述基板低的第一膜成膜的工序；在使所述第一膜成膜后，在位于所述第一面的相反侧的所述基板的第二面上，在比所述第一膜成膜时高的温度下，使由热膨胀率比所述基板高的半导体构成的第二膜成膜的工序。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于夏普株式会社，未经夏普株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201010175605.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种伸缩式吸盘蓝牙音箱
- 下一篇：一种音箱
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
