[发明专利]用于制造基板的设备和方法无效
| 申请号: | 201010174137.0 | 申请日: | 2010-05-13 |
| 公开(公告)号: | CN102157388A | 公开(公告)日: | 2011-08-17 |
| 发明(设计)人: | 申东周;李春根;林成泽 | 申请(专利权)人: | 三星电机株式会社 |
| 主分类号: | H01L21/48 | 分类号: | H01L21/48 |
| 代理公司: | 北京润平知识产权代理有限公司 11283 | 代理人: | 周建秋;王凤桐 |
| 地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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| 摘要: | 在此公开了一种用于制造基板的设备,包括:第一腔室,用于提供绝缘层;第二腔室,包括用于粗加工从第一腔室提供的绝缘层的至少一侧的粗加工辊子、用于将金属层沉积在粗加工后的绝缘层上的蒸发器和用于冲压绝缘层和金属层的冲压辊子;以及第三腔室,用于存储包括金属层的绝缘层,所述金属层被形成在所述绝缘层上,所述绝缘层从第二腔室中被取出。用于制造基板的设备的优点在于能够持续生产基板,从而提高基板的生产率并防止基板被空气污染。本发明还公开了用于制造基板的方法。 | ||
| 搜索关键词: | 用于 制造 设备 方法 | ||
【主权项】:
一种用于制造基板的设备,该设备包括:第一腔室,该第一腔室用于提供绝缘层;第二腔室,该第二腔室包括用于粗加工从所述第一腔室提供的所述绝缘层的至少一侧的粗加工辊子、用于将金属层沉积在粗加工后的绝缘层上的蒸发器和用于冲压所述绝缘层和所述金属层的冲压辊子;以及第三腔室,该第三腔室用于存储包括所述金属层的所述绝缘层,所述金属层被形成在所述绝缘层上,所述绝缘层从所述第二腔室被取出。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





