[发明专利]集成电路及其设计方法无效
| 申请号: | 201010170977.X | 申请日: | 2010-04-30 |
| 公开(公告)号: | CN102117804A | 公开(公告)日: | 2011-07-06 |
| 发明(设计)人: | 余绍铭;张长昀 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02;G06F17/50 |
| 代理公司: | 北京市德恒律师事务所 11306 | 代理人: | 陆鑫;高雪琴 |
| 地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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| 摘要: | 本发明提供一种集成电路及其设计方法,所述方法包括将芯片分为多个功能区块如核心区域及至少一功能单元,并将设计规则实施于核心区域而非其他功能单元。上述实施于核心区域而非所有功能区块的设计规则包括以CAD或其他自动化设计系统,设计上述半导体IC芯片的电脑可读取的存储媒介,以及制造半导体IC芯片的光掩模。以上述方法形成的半导体IC芯片具有多个半导体鳍片形成于核心区及其他功能单元中,但只有核心区域的半导体鳍片紧密聚集。本发明可同时形成紧密聚集的与分散的半导体鳍片,且分散的鳍片不再易于剥落。 | ||
| 搜索关键词: | 集成电路 及其 设计 方法 | ||
【主权项】:
一种集成电路,包括:至少一核心元件区与至少一密集组件单元;以及多个半导体鳍片包括:一核心半导体鳍片,位于所述至少一核心元件区中,其排列根据一设计规则使该核心半导体鳍片具有最低聚集密度;以及其他半导体鳍片,位于所述至少一密集组件单元中,且其排列不根据该设计规则。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





