[发明专利]半导体装置及其制造方法无效
申请号: | 201010170592.3 | 申请日: | 2010-04-30 |
公开(公告)号: | CN101877337A | 公开(公告)日: | 2010-11-03 |
发明(设计)人: | 白滨聪 | 申请(专利权)人: | 日亚化学工业株式会社 |
主分类号: | H01L23/49 | 分类号: | H01L23/49;H01L23/482;H01L21/60 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 张远 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明的目的在于,提供一种能实现充分的接合可靠性且散热性良好的半导体装置及其制造方法,其中,该半导体装置包括焊接了多个导线的半导体元件。本发明的半导体装置的特征在于,在设置在半导体层上的电极上具有被球形焊接的第一导线,该第一导线具有接合在上述电极上的球部、和从该球部延伸并折回的折回部,延伸到该折回部的部分和从该折回部延伸的部分在上述球部上相接触,在上述球部之上具有在上述第一导线上焊接的第二导线,在上述球部的周边部上,在上述第一导线的折回部或上述第二导线与上述球部之间具有空隙。 | ||
搜索关键词: | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种半导体装置,在设置在半导体层上的电极上,具有被球形焊接的第一导线,该第一导线具有在上述电极上接合的球部、和从该球部延伸并折回的折回部,延伸到该折回部的部分和从该折回部延伸的部分在上述球部上相接触,在上述球部之上具有与上述第一导线焊接的第二导线,在上述球部的周边部上,在上述第一导线的折回部或上述第二导线与上述球部之间具有空隙。
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