[发明专利]半导体装置及其制造方法无效

专利信息
申请号: 201010170592.3 申请日: 2010-04-30
公开(公告)号: CN101877337A 公开(公告)日: 2010-11-03
发明(设计)人: 白滨聪 申请(专利权)人: 日亚化学工业株式会社
主分类号: H01L23/49 分类号: H01L23/49;H01L23/482;H01L21/60
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 张远
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明的目的在于,提供一种能实现充分的接合可靠性且散热性良好的半导体装置及其制造方法,其中,该半导体装置包括焊接了多个导线的半导体元件。本发明的半导体装置的特征在于,在设置在半导体层上的电极上具有被球形焊接的第一导线,该第一导线具有接合在上述电极上的球部、和从该球部延伸并折回的折回部,延伸到该折回部的部分和从该折回部延伸的部分在上述球部上相接触,在上述球部之上具有在上述第一导线上焊接的第二导线,在上述球部的周边部上,在上述第一导线的折回部或上述第二导线与上述球部之间具有空隙。
搜索关键词: 半导体 装置 及其 制造 方法
【主权项】:
一种半导体装置,在设置在半导体层上的电极上,具有被球形焊接的第一导线,该第一导线具有在上述电极上接合的球部、和从该球部延伸并折回的折回部,延伸到该折回部的部分和从该折回部延伸的部分在上述球部上相接触,在上述球部之上具有与上述第一导线焊接的第二导线,在上述球部的周边部上,在上述第一导线的折回部或上述第二导线与上述球部之间具有空隙。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于日亚化学工业株式会社,未经日亚化学工业株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201010170592.3/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top