[发明专利]吸引保持装置、吸引保持方法、输送装置及输送方法无效
申请号: | 201010170106.8 | 申请日: | 2010-04-21 |
公开(公告)号: | CN101872735A | 公开(公告)日: | 2010-10-27 |
发明(设计)人: | 星野三郎;原田贤一;守屋智德 | 申请(专利权)人: | 精工爱普生株式会社 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;H01L21/677 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 张宝荣 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供一种使用比保持或输送的对象物小型的吸引保持终端,而能够以非接触方式吸引保持对象物的吸引保持装置、吸引保持方法、输送装置及输送方法。吸引保持装置通过回旋流产生室产生的气体的回旋流的中心部所产生的负压和从回旋流产生室的端部向侧方流出的气体,对保持对象物进行吸引保持,其中,所述吸引保持装置具备:吸引保持终端,其具有回旋流产生室和开设有回旋流产生室的吸引用吹出口的吸引保持面;施力机构,其对处于能够被吸引保持终端吸引保持的位置上的保持对象物施加与吸引保持面大致平行的方向的作用力;卡止机构,其抵抗施力机构产生的作用力而将保持对象物卡止。 | ||
搜索关键词: | 吸引 保持 装置 方法 输送 | ||
【主权项】:
一种吸引保持装置,其通过回旋流产生室产生的气体的回旋流的中心部所产生的负压和从所述回旋流产生室的端部向侧方流出的气体,对保持对象物进行吸引保持,所述吸引保持装置的特征在于,具备:吸引保持终端,其具有所述回旋流产生室和开设有所述回旋流产生室的吸引用吹出口的吸引保持面;施力机构,其对处于能够被所述吸引保持终端吸引保持的位置上的所述保持对象物施加与所述吸引保持面大致平行的方向的作用力;卡止机构,其抵抗所述施力机构产生的所述作用力而将所述保持对象物卡止。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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