[发明专利]半导体结构有效
| 申请号： | 201010169798.4 | 申请日： | 2010-04-23 |
| 公开（公告）号： | CN101834183A | 公开（公告）日： | 2010-09-15 |
| 发明（设计）人： | 邰翰忠;蒋昕志 | 申请（专利权）人： | 崇贸科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/06 | 分类号： | H01L27/06;H01L29/06 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 陆勍 |
| 地址： | 中国台湾台北县新*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种半导体结构。半导体结构包括一基板、一第一深井、一二极管及一晶体管。第一深井形成于基板内。二极管形成于第一深井内。晶体管形成于第一深井内。其中二极管连接于第一电压，晶体管连接于第二电压，且二极管与晶体管串联。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 | ||
【主权项】：
一种半导体结构，包括：一基板；一第一深井，形成于该基板内；一二极管，形成于该第一深井内；以及一晶体管，形成于该第一深井内；其中，该二极管连接于一第一电压，该晶体管连接于一第二电压，且该二极管与该晶体管串联。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于崇贸科技股份有限公司，未经崇贸科技股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201010169798.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：硅量子点太阳能电池及其制备方法
- 下一篇：源漏极离子注入的方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
