[发明专利]量子阱红外探测器

摘要

本发明公开了一种量子阱红外探测器，采用了GaAs/AlxGa1-xAs材料体系，利用MBE或者MOCVD技术生长，通过标准的半导体工艺制备。本发明的量子阱结构GaAs势阱层的厚度为所述AlxGa1-xAs势垒层的厚度的15～20倍，多量子阱层一个周期的厚度为80～120nm，多量子阱层的周期数为15～20，使探测器能够在室温或者准室温状态工作，吸收系数达30％以上，实现了对暗电流的有效抑制，从而大大减小了器件噪声，探测率可达到或者接近理论极限值，响应速度高于1GHz，最高可达100GHz。

主权项

一种量子阱红外探测器，包括：GaAs衬底层，在所述GaAs衬底层上通过分子束外延技术或金属有机化学气相沉积依次逐层生长的：未掺杂的GaAs缓冲层；n型掺杂的GaAs下电极层；先势垒后势阱交替生长多个周期形成的多量子阱层；AlxGa1-xAs势垒层；n型掺杂的GaAs上电极层；其特征在于，所述的多量子阱层，每个周期包括一个AlxGa1-xAs势垒层和一个GaAs势阱层，所述AlxGa1-xAs势垒层的厚度为所述GaAs势阱层的厚度的15～20倍，所述的多量子阱层一个周期的厚度为80～120nm，所述的多量子阱层的周期数为15～20。