[发明专利]一种强磁性薄膜介质及其制备方法无效
| 申请号： | 201010168752.0 | 申请日： | 2010-05-12 |
| 公开（公告）号： | CN101819849A | 公开（公告）日： | 2010-09-01 |
| 发明（设计）人： | 焦新兵;蒋春萍;王亦 | 申请（专利权）人： | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
| 主分类号： | H01F10/10 | 分类号： | H01F10/10;H01F41/14;H01F41/18 |
| 代理公司： | 南京苏科专利代理有限责任公司 32102 | 代理人： | 陈忠辉 |
| 地址： | 215125 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明揭示了一种强磁性薄膜介质，其为衬底材料上缓冲层、永磁薄膜及保护层的叠层结构。首先、制备清洁、干燥的Si衬底，并在衬底表面生长制备缓冲层；继而、真空条件下采用掩膜生长法或生长烧蚀法在缓冲层上依次制备具几何形状的永磁薄膜和保护层，最后、利用充磁机对薄膜介质进行磁化充磁。本发明技术方案的应用实施，将永磁材料的尺寸减小至微米量级，该产生大磁场的薄膜介质具有体积小、磁场强度大、磁场方向性好、设计简单、可靠性高等优点。此外，本发明采用的方法制备的薄膜介质工艺简单、应用领域更广。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 磁性 薄膜 介质 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种强磁性薄膜介质，其特征在于：所述薄膜介质为衬底材料上缓冲层、永磁薄膜及保护层的叠层结构。
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