[发明专利]微机电器件的晶圆级真空封装方法有效
| 申请号： | 201010166444.4 | 申请日： | 2010-05-10 |
| 公开（公告）号： | CN101798054A | 公开（公告）日： | 2010-08-11 |
| 发明（设计）人： | 方辉;雷述宇 | 申请（专利权）人： | 北京广微积电科技有限公司 |
| 主分类号： | B81C3/00 | 分类号： | B81C3/00 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 阚梓瑄 |
| 地址： | 100176 北京市北京经*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种微机电器件的晶圆级真空封装方法，依次包括如下步骤：S1、准备封盖晶圆和器件晶圆；S2、分别在器件晶圆正面和封盖晶圆正面生长密封环；S3、在封盖晶圆正面的密封环上生长焊料；S4、以密封环为掩模，对封盖晶圆进行深硅刻蚀，形成凹槽；S5、在封盖晶圆正面生长吸气剂薄膜，其图形直接由生长时的掩模版获得；S6、用将键合设备先加热激活吸气剂薄膜，再将封盖晶圆与器件晶圆键合到一起；S7、在封盖晶圆的反面生长增透膜，图形直接由生长时的掩模版获得；S8、割片。本发明通过调整工艺次序，避免了后道工艺对前道工艺结果的影响，特别适用于红外器件的封装。 | ||
| 搜索关键词： | 微机 器件 晶圆级 真空 封装 方法 | ||
【主权项】：
一种微机电器件的晶圆级真空封装方法，其特征在于，该方法依次包括如下步骤：S1、晶圆准备：准备封盖晶圆和已经制备好芯片的器件晶圆，其中该封盖晶圆为区熔法生长的硅单晶或锗单晶，晶向<100>；S2、分别在该器件晶圆正面和该封盖晶圆正面生长密封环；S3、在该封盖晶圆正面的密封环上生长一层焊料；S4、利用密封环为掩模，使用反应离子刻蚀工艺对封盖晶圆正面进行深硅刻蚀，形成凹槽；S5、在该封盖晶圆正面用溅射或蒸发工艺生长吸气剂薄膜，其图形直接由生长时的掩模版获得；S6、使用晶圆键合设备，先通过加热激活增透膜，再将器件晶圆和封盖晶圆键合在一起；S7、在该封盖晶圆反面用蒸发工艺生长增透膜，其图形直接由生长时的掩模版获得；S8、割片。
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