[发明专利]低操作电流相变存储器元件结构有效
| 申请号： | 201010166201.0 | 申请日： | 2010-04-19 |
| 公开（公告）号： | CN101877384A | 公开（公告）日： | 2010-11-03 |
| 发明（设计）人： | 陈士弘;陈逸舟 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种低操作电流相变存储器元件结构，包括：第一电极，其具有用以限制电流流动的接触表面；相变存储器构件，其与所述第一电极的所述接触表面接触，所述相变存储器构件的宽度大于所述第一电极的宽度；第二电极，其电耦接至所述相变存储器构件；以及界定装置，其包括位于所述相变存储器构件上的介电构件以及位于所述介电构件上的导电构件，所述导电构件包括导电率大于所述介电构件材料导电率的材料，用以在所述第一电极与所述第二电极之间界定相对于所述接触表面处的电流流动的方向在所述相变存储器构件内侧向转弯的电极间电流路径。本发明较现有蘑菇型存储器单元的主动区侧向边缘处的电流密度增加，因此，可以提升操作电流效率。 | ||
| 搜索关键词： | 操作 电流 相变 存储器 元件 结构 | ||
【主权项】：
一种存储器元件，其特征在于，包括：第一电极，其具有用以限制电流流动的接触表面；相变存储器构件，其与所述第一电极的所述接触表面接触，所述相变存储器构件的宽度大于所述第一电极的宽度；第二电极，其电耦接至所述相变存储器构件；以及界定装置，其包括位于所述相变存储器构件上的介电构件以及位于所述介电构件上的导电构件，所述导电构件包括导电率大于所述介电构件材料导电率的材料，用以在所述第一电极与所述第二电极之间界定相对于所述接触表面处的电流流动的方向在所述相变存储器构件内侧向转弯的电极间电流路径。
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