[发明专利]一种消除读取干扰的静态随机存储器有效
| 申请号： | 201010164945.9 | 申请日： | 2010-04-29 |
| 公开（公告）号： | CN101819815A | 公开（公告）日： | 2010-09-01 |
| 发明（设计）人： | 胡剑 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/4197 | 分类号： | G11C11/4197 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种消除读取干扰的静态随机存储器，包括：第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管、第一PMOS管和第二PMOS管，其中第一PMOS管、第一NMOS管和第二PMOS管、第二NMOS管组成两个COMS倒相器，交叉耦合形成双稳态触发器，第三NMOS管和第二PMOS管相连，第四NMOS管和第一PMOS管相连，静态随机存储器还包括第五NMOS管，第五NMOS管和第一PMOS管、第二PMOS管分别相连，本发明在静态随机存储器中加入第五NMOS管，在执行读取任务时将第五NMOS管关闭，从而避免了读取干扰现象的发生，提高了静态随机存储器读取状态的稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 消除 读取 干扰 静态 随机 存储器 | ||
【主权项】：
一种消除读取干扰的静态随机存储器，包括：第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管、第一PMOS管和第二PMOS管，其中所述第一PMOS管、所述第一NMOS管和所述第二PMOS管、所述第二NMOS管组成两个COMS倒相器，交叉耦合形成双稳态触发器，所述第三NMOS管和所述第二PMOS管相连，所述第四NMOS管和所述第一PMOS管相连，其特征在于：所述静态随机存储器还包括第五NMOS管，所述第五NMOS管和所述第一PMOS管、所述第二PMOS管分别相连。
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