[发明专利]一种Cu2SixSn1-xS3光伏薄膜的制备方法无效
| 申请号： | 201010164446.X | 申请日： | 2010-05-06 |
| 公开（公告）号： | CN101824601A | 公开（公告）日： | 2010-09-08 |
| 发明（设计）人： | 刘萍 | 申请（专利权）人： | 深圳丹邦投资集团有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/06 |
| 代理公司： | 深圳新创友知识产权代理有限公司 44223 | 代理人： | 江耀纯 |
| 地址： | 518057 广东省深*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种Cu2SixSn1-xS3光伏薄膜的制备方法，以硫化氢和氩气混合气体作为溅射气体，以Cu-Si-Sn合金靶作为阴极靶，以磁控反应溅射的方式进行薄膜的沉积。其中，合金靶的组分为原子比Cu∶Si∶Sn＝1∶(0.1～2)∶(0.1～2)，溅射时溅射室内压强为0.05Pa～10Pa，靶材与衬底的距离为3～15cm，阴极靶的溅射功率为15～300W，衬底温度为20～700℃，并以0～1000转每分钟的速率旋转，生长的薄膜厚度为0.2～5μm。本发明所述的制备方法制备的薄膜大面积成分均匀性好、结晶质量高、二次相含量低，且具有优越的光学、电学性质。同时该法还具有工艺简单、成本低廉和重现性好等传统热活化技术无法具备的优势。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 cu sub si sn 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种Cu2SixSn1-xS3光伏薄膜的制备方法，其特征在于以硫化氢和氩气混合气体作为溅射气体，以Cu-Si-Sn合金靶作为阴极靶，以磁控反应溅射的方式进行薄膜的沉积。
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