[发明专利]一种沟槽金属氧化物半导体场效应管有效
| 申请号： | 201010163975.8 | 申请日： | 2010-04-16 |
| 公开（公告）号： | CN102222618A | 公开（公告）日： | 2011-10-19 |
| 发明（设计）人： | 谢福渊 | 申请（专利权）人： | 力士科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/8232;H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 汤保平 |
| 地址： | 中国台湾台北*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种改进的沟槽金属氧化物半导体场效应管的结构，本发明有效地避免了现有技术中存在的经过光刻曝光之后，沟槽不能被充分打开的技术困难，提高了沟槽金属氧化物半导体场效应管的成品率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 沟槽 金属 氧化物 半导体 场效应 | ||
【主权项】：
一种沟槽金属氧化物半导体场效应管，包括：多个第一沟槽，位于有源区；一个第二沟槽，位于所述有源区的边缘，所述第二沟槽的宽度大于或等于所述第一沟槽的宽度；多个用作栅指结构的第三沟槽，与所述第二沟槽相连，所述第三沟槽的宽度大于所述第一沟槽的宽度；和多个用于栅极连接的第四沟槽，与所述第三沟槽相连，所述第四沟槽的宽度大于所述第一沟槽的宽度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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