[发明专利]一种凹陷沟道的PNPN场效应晶体管及其制备方法无效
| 申请号： | 201010162446.6 | 申请日： | 2010-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN101834210A | 公开（公告）日： | 2010-09-15 |
| 发明（设计）人： | 臧松干;王鹏飞;张卫 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/10;H01L29/49;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海正旦专利代理有限公司 31200 | 代理人： | 陆飞;盛志范 |
| 地址： | 20043*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种凹陷沟道的PNPN场效应晶体管。凹陷型的沟道结构使得晶体管在减小漏电流的同时增大了驱动电流。同时，本发明还公开了上述PNPN场效应晶体管的制造方法。采用本发明的PNPN场效应晶体管的隧穿结更加陡直，而且可以增加源端横向电场，减小隧穿势垒，改善传统MOS晶体管的类双极型晶体管的漏电流，减小芯片功耗。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 凹陷 沟道 pnpn 场效应 晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种PNPN场效应晶体管结构，其特征在于，该PNPN场效应晶体管结构包括：一个具有第一种掺杂类型的半导体衬底；在所述半导体衬底内形成的凹陷沟道区域；在所述半导体衬底内凹陷沟道区域的一侧形成的具有第二种掺杂类型的漏区；在所述半导体衬底内凹陷沟道区域的非漏区侧形成的具有第二种掺杂类型的耗尽区；在所述耗尽区之上形成的具有第一种掺杂类型的源区；在所述凹陷沟道区域之上形成的覆盖整个凹陷沟道区域的栅区。
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