[发明专利]一种形成铜接触互连结构的方法无效
| 申请号： | 201010162432.4 | 申请日： | 2010-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN101819944A | 公开（公告）日： | 2010-09-01 |
| 发明（设计）人： | 赵莹;屈新萍;谢琦 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海正旦专利代理有限公司 31200 | 代理人： | 陆飞;盛志范 |
| 地址： | 20043*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明属于半导体器件技术领域，具体为一种形成铜接触互连结构的方法。具体为，在接触层的介质开孔露出硅片上源漏的金属硅化物层上形成扩散阻挡层，然后进行铜材料的填充，从而形成互连和硅器件的接触。其中扩散阻挡层的材料为含Si的三元金属氮化物，或含C的三元金属氮化物，金属为难熔金属，该扩散阻挡层的电阻率在100-1000Ωcm之间，厚度在2-50纳米之间。本发明可在半导体元件中源漏与互连之间形成高质量的、黏附性好的铜接触互连结构。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 形成 接触 互连 结构 方法 | ||
【主权项】：
一种形成铜接触互连结构的方法，其特征在于具体步骤如下：在介质孔露出源漏金属硅化物表面上依次淀积扩散阻挡层、黏附层/Cu籽晶层，并利用电镀工艺将金属层填进窗口，化学机械抛光后形成所需要的第一层接触工艺；其中，所述扩散阻挡层的材料为含Si的三元金属氮化物，或含C的三元金属氮化物，金属为难熔金属，该扩散阻挡层的电阻率在100-1000μΩ·cm之间，厚度在2-50纳米之间。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于复旦大学，未经复旦大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201010162432.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
