[发明专利]一种梳状源极叠层结构有机场效应管无效
| 申请号： | 201010162153.8 | 申请日： | 2010-04-04 |
| 公开（公告）号： | CN101877385A | 公开（公告）日： | 2010-11-03 |
| 发明（设计）人： | 彭应全 | 申请（专利权）人： | 兰州大学 |
| 主分类号： | H01L51/05 | 分类号： | H01L51/05;H01L51/40 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 730000 *** | 国省代码： | 甘肃;62 |
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| 摘要： | 本发明提出了一种具有梳状源极层叠结构有机场效应管。通过控制有机半导体层的薄膜厚度来控制沟道长度，从而达到缩小沟道长度，减小器件尺寸的目的。即根据不同的器件结构(如顶栅底接触型、底栅底接触型等)，先后在衬底(硅或其他柔性衬底)上制备梳状源极薄膜、有机半导体沟道薄膜，以及条状漏极薄膜，其主要特点在于源极、有机导电沟道、漏极三者为层叠结构。通过精确控制有机层的厚度来控制沟道长度，栅极电压透过源极空隙对沟道中载流子的运动进行控制，从而达到制备高性能薄膜场效应晶体管的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 梳状源极叠层 结构 有机 场效应 | ||
【主权项】：
一种梳状源极层叠结构有机场效应管，其特征在于栅极、栅介质、源极、沟道呈层叠结构，通过精确控制有机层的厚度来控制沟道长度，栅极电压透过源极空隙对沟道中载流子的运动进行控制，制备高性能薄膜场效应管。
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