[发明专利]半导体结构及其制造方法有效
| 申请号： | 201010162118.6 | 申请日： | 2010-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN102237295A | 公开（公告）日： | 2011-11-09 |
| 发明（设计）人： | 朱慧珑;尹海洲;骆志炯 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/528 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 吕雁葭 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种半导体结构及其制造方法，该制造方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上包括半导体器件；在所述半导体衬底上淀积铜扩散阻挡层；在所述铜扩散阻挡层上形成铜化合物层；根据铜互连的形状，将需要形成铜互连的相应位置处的铜化合物分解为铜，并刻蚀未分解的铜化合物及其下方的铜扩散阻挡层，从而将所述半导体器件之间进行互连。本发明适用于半导体集成电路的互连制造。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体结构的制造方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上包括半导体器件；在所述半导体衬底上淀积铜扩散阻挡层；在所述铜扩散阻挡层上形成铜化合物层；根据铜互连的形状，将需要形成铜互连的相应位置处的铜化合物分解为铜，并刻蚀未分解的铜化合物及其下方的铜扩散阻挡层，从而将所述半导体器件之间进行互连。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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