[发明专利]半导体结构及其形成方法

摘要

本发明公开了一种半导体结构及其形成方法。在两端具有两个半导体垫的半导体纳米线浮置于衬底上方。应力产生衬垫部形成于所述两个半导体垫上方，而所述半导体纳米线的中间部被暴露。栅极电介质和栅极电极形成于所述半导体纳米线的中间部的上方而所述半导体纳米线由于所述应力产生衬垫部在纵向应力之下。所述半导体纳米线的中间部在所述应力产生衬垫的去除之后在内置固有纵向应力之下，因为所述栅极电介质和栅极电极的形成将所述半导体纳米线锁在受到应变的状态中。源极和漏极区形成于所述半导体垫中以便提供半导体纳米线晶体管。中段(MOL)电介质层可以直接形成于所述源极和漏极垫上。

主权项

一种半导体结构，包括：与第一半导体垫和第二半导体垫邻接的半导体纳米线，其中所述半导体布线的中间部受到纵向应变；围绕所述受到纵向应变的所述半导体纳米线的中间部的栅极电介质；和嵌入所述第一和第二半导体垫的电介质材料层，其中所述电介质材料层基本没有应力。