[发明专利]半导体结构及其制造方法

摘要

本发明提供一种半导体结构及其制造方法，该半导体结构包含一半导体基板、多个有源区以及多个虚拟有源区。半导体基板具有一元件区以及一邻接于元件区的虚拟区。有源区位于元件区内。虚拟有源区位于虚拟区内。其中这些有源区的每一个在一第一方向具有第一尺寸以及在垂直于第一方向的一第二方向具有第二尺寸，且第一尺寸实质大于第二尺寸，而这些虚拟有源区的每一者在第一方向具有第三尺寸以及在第二方向具有第四尺寸，且第三尺寸实质大于第四尺寸。这些虚拟有源区的设置使得在虚拟区的热退火效应实质相同于元件区的热退火效应。

主权项

一种半导体结构，其特征在于，其包含：一半导体基板，具有一元件区以及邻接于该元件区的一虚拟区；多个有源区，位于该元件区内，其中每一该些有源区在一第一方向具有一第一尺寸以及在垂直于该第一方向的一第二方向具有一第二尺寸，且其中该第一尺寸大于该第二尺寸；以及多个虚拟有源区，位于该虚拟区内，其中每一该些虚拟有源区在该第一方向具有一第三尺寸以及在该第二方向具有一第四尺寸，且其中该第三尺寸大于该第四尺寸，其中该些虚拟有源区的设置使得在该虚拟区内的热退火效应相同于该元件区内的热退火效应。