[发明专利]离子注入系统及方法无效

专利信息
申请号: 201010157011.2 申请日: 2010-03-18
公开(公告)号: CN102194635A 公开(公告)日: 2011-09-21
发明(设计)人: 陈炯 申请(专利权)人: 上海凯世通半导体有限公司
主分类号: H01J37/317 分类号: H01J37/317
代理公司: 上海智信专利代理有限公司 31002 代理人: 薛琦;朱水平
地址: 201203 上海市浦东新*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明公开了一种离子注入系统,该系统包括一离子源,一质量分析磁铁,一束流扫描装置,一准直装置,一变速装置以及一制程腔;该系统还包括:一设于该质量分析磁铁与该束流扫描装置之间的直线加速器,用于利用射频电场使该预设能量范围内的离子束加速;一设于该直线加速器与该束流扫描装置之间的能量过滤装置,用于提高该预设能量范围内的离子束的能量单色性。本发明还公开了一种利用上述离子注入系统实现的离子注入方法。本发明能够在高能量离子注入的应用场合下提高高能量离子的传输效率,并且还可以便捷地改装适用于中束流离子注入的应用场合。
搜索关键词: 离子 注入 系统 方法
【主权项】:
一种离子注入系统,该系统包括一离子源,该离子源用于生成一离子束,在该离子束的传输路径上依次设有:一质量分析磁铁,用于从该离子束中选择一预设能量范围内的离子束;一束流扫描装置,用于扫描该预设能量范围内的离子束;一准直装置,用于准直该预设能量范围内的离子束;一变速装置,用于使该预设能量范围内的离子束加速或减速;一制程腔,该制程腔内设有一工件扫描装置,该工件扫描装置用于扫描工件并使工件穿过该预设能量范围内的离子束,以进行离子注入;其特征在于,该系统还包括:一设于该质量分析磁铁与该束流扫描装置之间的直线加速器,用于利用射频电场使该预设能量范围内的离子束加速;一设于该直线加速器与该束流扫描装置之间的能量过滤装置,用于提高该预设能量范围内的离子束的能量单色性。
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