[发明专利]LED芯片封装结构及其封装方法无效
| 申请号： | 201010154737.0 | 申请日： | 2010-04-14 |
| 公开（公告）号： | CN102222753A | 公开（公告）日： | 2011-10-19 |
| 发明（设计）人： | 三重野文健;郭景宗 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/48 | 分类号： | H01L33/48;H01L33/64;H01L35/34;H01L25/16 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 李丽 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种LED芯片封装结构及其封装方法，其中LED芯片封装结构封装方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底具有第一表面和与第一表面相对的第二表面；在所述半导体衬底的第一表面形成散热元件，所述散热元件包括p型热电结构、n型热电结构、与p型热电结构和n型热电结构相邻并介于p型热电结构和n型热电结构之间的隔离层；在所述半导体衬底的第二表面形成位于所述半导体衬底内的凹陷部，所述凹陷部用于容纳LED单元。本发明提供一种能够与半导体工艺兼容的LED芯片散热封装结构，且散热效果显著。 | ||
| 搜索关键词： | led 芯片 封装 结构 及其 方法 | ||
【主权项】：
一种LED芯片封装结构封装方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底具有第一表面和与第一表面相对的第二表面；在所述半导体衬底的第一表面形成散热元件，所述散热元件包括p型热电结构、n型热电结构、与p型热电结构和n型热电结构相邻并介于p型热电结构和n型热电结构之间的隔离层；在所述半导体衬底的第二表面形成位于所述半导体衬底内的凹陷部，所述凹陷部用于容纳LED单元。
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