[发明专利]高速电控全息晶体衍射分束器及其制备方法和基于该分束器实现的分束方法无效
| 申请号： | 201010154243.2 | 申请日： | 2010-04-23 |
| 公开（公告）号： | CN101799593A | 公开（公告）日： | 2010-08-11 |
| 发明（设计）人： | 田浩;周忠祥;宫德维;赵娜 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨工业大学 |
| 主分类号： | G02F1/03 | 分类号： | G02F1/03 |
| 代理公司： | 哈尔滨市松花江专利商标事务所 23109 | 代理人： | 牟永林 |
| 地址： | 150001 黑龙*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： | 高速电控全息晶体衍射分束器及其制备方法和基于该分束器实现的分束方法，涉及一种分束器及其制备方法和分束方法，解决了现有技术中存在的不能实时控制分束开关、只能将光束分为两束以及分束响应速度慢的问题。本发明的分束器由顺电相电控全息晶体构成，晶体内刻有Raman-Nath光栅。分束器的制备过程为：在晶体两端加直流电场，令两束相干光入射到该晶体内相交干涉，在晶体内形成一个稳定的Raman-Nath光栅。利用该分束器实现的分束方法，其过程如下：将分束器置于光路中，使待分束光束通过分束器，当需要分束时，在分束器两端加直流或交流电场，即可实现分束。本发明可用于光学互联、图像处理、光计算等领域中，可实现高速电控分束。 | ||
| 搜索关键词： | 高速 全息 晶体 衍射 分束器 及其 制备 方法 基于 实现 | ||
【主权项】：
高速电控全息晶体衍射分束器，它由一个顺电相电控全息晶体构成，所述晶体有两个通光面，该两个通光面均垂直于该晶体的[100]轴，其中一个通光面作为光输入端，另一个通光面作为光输出端，其特征在于：所述晶体内刻有光栅，该光栅的刻线间距满足Raman-Nath衍射条件，光栅的波矢方向平行于该晶体的[001]轴，且光栅面垂直于该晶体的[100]轴。
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