[发明专利]像素结构与对准标记有效

专利信息
申请号: 201010153270.8 申请日: 2010-04-21
公开(公告)号: CN101825823A 公开(公告)日: 2010-09-08
发明(设计)人: 郑为元;黄彦衡;白佳蕙;曾文贤;陈宗凯 申请(专利权)人: 友达光电股份有限公司
主分类号: G02F1/1362 分类号: G02F1/1362
代理公司: 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 代理人: 梁挥;祁建国
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 发明公开了一种像素结构与对准标记,该像素结构包括主动组件、电容下电极、电容上电极、保护层、彩色滤光薄膜以及像素电极。电容下电极具有开口。电容上电极位于电容下电极上方,并与主动组件电性连接。保护层覆盖主动组件、电容下电极与电容上电极。彩色滤光薄膜配置于保护层上以覆盖主动组件、电容下电极与电容上电极,其中保护层与彩色滤光薄膜具有接触窗,而接触窗位于开口上方并暴露出电容上电极的部分区域。像素电极配置于彩色滤光薄膜上,并通过接触窗与电容上电极电性连接,其中接触窗的侧壁位于开口的侧壁与电容上电极的外缘之间。
搜索关键词: 像素 结构 对准 标记
【主权项】:
一种像素结构,其特征在于,包括:一主动组件;一电容下电极,具有一开口;一电容上电极,位于该电容下电极上方,并与该主动组件电性连接;一保护层,覆盖该主动组件、该电容下电极与该电容上电极;一彩色滤光薄膜,配置于该保护层上以覆盖该主动组件、该电容下电极与该电容上电极,其中该保护层与该彩色滤光薄膜具有一接触窗,该接触窗位于该开口上方并暴露出该电容上电极的部分区域;以及一像素电极,配置于该彩色滤光薄膜上,并通过该接触窗与该电容上电极电性连接,其中该接触窗的侧壁位于该开口的侧壁与该电容上电极的外缘之间。
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