[发明专利]一种压阻传感器芯片及其制作方法有效
| 申请号： | 201010152895.2 | 申请日： | 2010-04-22 |
| 公开（公告）号： | CN101832831A | 公开（公告）日： | 2010-09-15 |
| 发明（设计）人： | 沈绍群;王树娟;周刚;陈会林 | 申请（专利权）人： | 无锡市纳微电子有限公司 |
| 主分类号： | G01L1/18 | 分类号： | G01L1/18;B81B7/02;B81C1/00;G03F7/00 |
| 代理公司： | 无锡盛阳专利商标事务所(普通合伙) 32227 | 代理人： | 顾朝瑞 |
| 地址： | 214028 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明为一种压阻传感器芯片。其生产方便、成本低，且成品率高、精确度高。其包括压力膜层、基底、力敏电阻、金属引线，所述力敏电阻、金属引线安装于所述压力膜层的上表面，所述基底装于所述压力膜层的下表面，其特征在于：所述基底具体为衬底硅，所述压力膜层包括底层的多晶硅膜、上层的氧化层，所述底层的多晶硅膜下表面装于所述衬底硅的上表面。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 传感器 芯片 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种压阻传感器芯片，其包括压力膜层、基底、力敏电阻、金属引线，所述力敏电阻、金属引线安装于所述压力膜层的上表面，所述基底装于所述压力膜层的下表面，其特征在于：所述基底具体为衬底硅，所述压力膜层包括底层的多晶硅膜、上层的氧化层，所述底层的多晶硅膜下表面装于所述衬底硅的上表面。
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