[发明专利]集成片式氧传感器及其制作方法

摘要

本发明涉及氧化锆传感器用集成芯片技术领域，尤其是一种集成片式氧传感器及其制作方法。该传感器包括氧化锆基体，氧化锆基体由上层氧化锆基板和下层氧化锆基板构成，上层氧化锆基板的外表面带有测量电极，上层氧化锆基板的内表面带有参比电极和狭长缝隙，下层氧化锆基板的内表面直接和狭长缝隙接触，下层氧化锆基板的外表面上覆盖氧化铝陶瓷绝缘层，氧化铝陶瓷绝缘层直接和铂加热元件集成在一起，加热电极片和铂加热元件在氧化锆基体的外表面上直接连接在一起，氧化锆基体的最外层设有多孔陶瓷保护层。本发明提供的氧传感器仅有两层氧化锆基片，并集成加热元件，厚度很薄，同时其制备工序简单，生产效率很高，稳定性好。

主权项

一种集成片式氧传感器，该传感器包括氧化锆基体(1)，其特征是，氧化锆基体(1)由上层氧化锆基板(11)和下层氧化锆基板(15)构成，上层氧化锆基板(11)的外表面带有测量电极(12)，上层氧化锆基板(11)的内表面带有参比电极(13)和狭长缝隙(14)，下层氧化锆基板(15)的内表面直接和狭长缝隙(14)接触，下层氧化锆基板(15)的外表面上覆盖氧化铝陶瓷绝缘层(16)，氧化铝陶瓷绝缘层(16)直接和铂加热元件(23)集成在一起，加热电极片(24)和铂加热元件(23)在氧化锆基体(1)的外表面上直接连接在一起，氧化锆基体(1)的最外层设有多孔陶瓷保护层(18)。