[发明专利]用于化学机械平面化的多步骤、原位垫修整系统

摘要

一种用于在单级化学机械平面化(CMP)装置上执行多步骤研磨制程的设备，其使用原位修整操作以不断地从研磨垫的表面清理和抽出碎屑和用过的研磨液。通过在各平面化周期开始，提供清洁的、实际上“新的”研磨垫表面，可使用不同化学性质、形态、温度等的研磨试剂，而不需要去除晶片来改变研磨源或将晶片传送到另外的CMP研磨台。多位置阀可用于控制多种制程流体的引入，所述多种制程流体包括多种不同的研磨浆和修整/冲洗试剂。对于不同制程条件，不同修整材料的使用允许研磨垫的表面改变(例如，中和在先的研磨化学物质，改变垫的表面温度以控制研磨速率，表面活性剂的使用以移去吸引到垫表面的微粒等)。

主权项

一种用于在单研磨台执行多步骤研磨的化学机械平面化系统，所述化学机械平面化系统包括：研磨垫，其用于与半导体晶片表面相互作用，以从其表面去除不需要的材料；修整装置，其布置在所述研磨垫的至少一个部分的上方，所述修整装置包括磨蚀、有缝隙的修整盘和真空辅助部件，所述磨蚀、有缝隙的修整盘用于磨蚀所述研磨垫以移去碎屑，所述真空辅助部件用于当产生移去的碎屑时去除其；以及分配器，其用于以受控的方式将多种研磨液引入到清洁的研磨垫上，其中，由所述修整装置执行的修整用于在每一研磨操作期间从所述研磨垫去除污染物，因此提供清洁的研磨垫表面用于每一平面化操作，且防止研磨浆间的交叉污染。