[发明专利]表面组装有碳纳米管的硅太阳电池无效

专利信息
申请号: 201010142105.2 申请日: 2010-04-09
公开(公告)号: CN101820012A 公开(公告)日: 2010-09-01
发明(设计)人: 张亚非;王艳芳;魏浩 申请(专利权)人: 上海交通大学
主分类号: H01L31/042 分类号: H01L31/042;H01L31/0236
代理公司: 上海交达专利事务所 31201 代理人: 王锡麟;王桂忠
地址: 200240 *** 国省代码: 上海;31
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摘要: 一种太阳能电池技术领域的表面组装有碳纳米管的硅太阳电池,包括由下而上依次逐层连接的背电极、P型硅衬底、N型层、减反射层和前电极,在N型层与减反射层之间设有碳纳米管涂层,该碳纳米管涂层中含有单壁碳纳米管、双壁碳纳米管或多壁碳纳米管中的一种或其组合,本发明将碳纳米管组装到硅太阳电池基片表面,利用碳纳米管结构的独特光电性能,提高电池对太阳光的吸收,进一步提高太阳电池的光电转换效率,比传统的太阳电池的光电转换效率提高1-5%。
搜索关键词: 表面 组装 纳米 太阳电池
【主权项】:
一种表面组装有碳纳米管的硅太阳电池,包括由下而上依次逐层连接的背电极、P型硅衬底、N型层、减反射层和前电极,其特征在于:N型层与减反射层之间设有碳纳米管涂层;所述的碳纳米管涂层中含有单壁碳纳米管、双壁碳纳米管或多壁碳纳米管中的一种或其组合。
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